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本发明公开了一种具有金刚石插入结构的高导热氮化镓HEMT器件及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。包括衬底，以及衬底上设置的外延层；外延层包括从下至上依次设置的金刚石缓冲层、沟道层以及势垒层；金刚石缓冲层内贯穿插设有导热柱，且导热柱的一端...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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