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本发明公开了一种具有三维自旋耦合电子层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层与上波导层之间具有三维自旋耦合电子层，所述三维自旋耦合电子层的菲利浦电离度分布具有函数y＝x<s...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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