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本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制作方法，方法包括：依次形成第一导电类型外延层漂移区、外延层漂移区沟槽、第一导电类型电流扩展层、电流扩展层沟槽、第二导电类型掺杂区、掺杂区沟槽，对掺杂区沟槽进行微刻蚀形成刻蚀沟槽，刻蚀沟槽将第二...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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