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本发明公开了一种基于受控空穴抽取结构的超结I GBT器件及其制作方法，超结I GBT器件包括在外延层中周期性排布的P柱和N柱，所述N柱的上方设置有P型基区，所述P型基区包括以矩形阵列的形式排布的第一P型基区，所述P柱包括第一P柱和第二P柱；...
该专利属于重庆万国半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆万国半导体科技有限公司授权不得商用。

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