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本发明公开了一种图形化氧化镓衬底及其制备方法，所述图形化氧化镓衬底表面由相同的呈规则排列的图形组成，每个图形为n+2个棱台(0≤n≤10)和一个棱台或者棱锥构成的多层塔状结构，每层结构按底面面积从大到小逐层向上排列。本发明通过微纳加工技术对...
该专利属于北京镓和半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓和半导体有限公司授权不得商用。

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