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一种半导体结构的形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；形成第一介质层、栅极结构、若干源漏掺杂层和若干第一导电层，若干源漏掺杂层分别位于栅极结构两侧的衬底内，第一导电层分别连接位于栅极结构同一侧的若干源漏掺杂层；在第一介质层上形成第二介质层；...
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