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本发明涉及一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；在衬底表面依次沉积一层第一氧化硅支撑层、一层氮化硅支撑层和一层第二氧化硅支撑层；在第二氧化硅支撑层上沉积一层第一绝缘层；在第一绝缘层上制作上游测温元件热电堆、中心热源和下游测...
该专利属于无锡芯感智半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯感智半导体有限公司授权不得商用。

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