一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺制造技术

技术编号:41509068 阅读:26 留言:0更新日期:2024-05-30 14:48
本发明专利技术涉及一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺。本发明专利技术包括提供衬底;在衬底表面依次沉积一层第一氧化硅支撑层、一层氮化硅支撑层和一层第二氧化硅支撑层;在第二氧化硅支撑层上沉积一层第一绝缘层;在第一绝缘层上制作上游测温元件热电堆、中心热源和下游测温元件热电堆;在上游测温元件热电堆、中心热源和下游测温元件热电堆上覆盖一层钝化层;利用光刻技术的掩膜结构,在芯片的正面采用四甲基氨基氢氧化物溶液进行湿法刻蚀,形成位于相邻上游测温元件热电堆之间以及相邻下游测温元件热电之间的正面释放隔离通孔;刻蚀出背面释放腔。本发明专利技术提高了测温元件对热量的敏感性并降低了芯片功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及流量传感器,尤其是指一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺


技术介绍

1、热式流量传感器是一种利用热传感效应进行测量的设备,适用于测量气体和液体的流量。其主要组成部分包括热丝传感器、补偿电路、温度补偿电路和运算放大器等。由于其具有精度高、响应速度快、不受介质影响等优点,被广泛应用于工业自动化、空气调节、汽车工业、医疗器械、机器人等领域。

2、现有流量芯片存在功耗较高的情况,这不仅增加了使用成本,也限制了其在某些电源受限或要求低功耗的场景中的应用,此外,流量芯片在测量精度和分辨率方面存在一定限制,影响了其在一些高精度应用中的使用。


技术实现思路

1、为此,本专利技术提供一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,提高了测温元件对热量的敏感性并降低了芯片功耗。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,包括:

3、提供衬底;

4、在所述衬底表面依次沉积一层第一氧化硅支撑层、一层氮化硅支撑层和一层第二氧化硅支撑层

5、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,所述正面释放隔离通孔(11)呈倒锥形结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,所述背面释放腔(12)呈梯形结构。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,在所述第一绝缘层(7a)上制作上游测温元件热电堆、中心热源(6)和下游测温元件热电堆,其步骤包括:

5.根据权利要求4所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,还包括:...

【技术特征摘要】

1.一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,所述正面释放隔离通孔(11)呈倒锥形结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,所述背面释放腔(12)呈梯形结构。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,在所述第一绝缘层(7a)上制作上游测温元件热电堆、中心热源(6)和下游测温元件热电堆,其步骤包括:

5.根据权利要求4所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求4所述的一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺,其特征在于,所述上游测温元件热电堆和所述下游测温元件热电堆沿芯片纵向对称剖面对称设置,所述上游测温元件热电堆包括所述上游测温元件热电堆下层热电偶(5a)和所述上游测温元件热电堆...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨绍松刘同庆
申请(专利权)人:无锡芯感智半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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