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公开了一种半导体器件及其制造方法。通常，该方法包括在衬底的表面上方形成存储晶体管的隧道电介质，在隧道电介质上方形成氮化物电荷俘获层，以及在衬底表面上方形成场效应晶体管的栅极电介质。形成栅极电介质可以包括执行多个氧化工艺以形成厚栅极氧化物，同...
该专利属于英飞凌科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技有限责任公司授权不得商用。

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