温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及功率半导体器件技术领域，并具体公开了一种适用于BJT和VDMOS芯片制造的三维半导体衬底晶圆和方法。由半导体衬底晶圆、凹槽结构、N+导通层与场基层和SiO<subgt;2</subgt;保护层构成，在半导体衬底晶圆背面...
该专利属于洛阳鸿泰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过洛阳鸿泰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。