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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，衬底包括器件区和非器件区，且非器件区的衬底的表面低于器件区的衬底表面；金属栅极，设置在器件区上；电阻结构，设置在非器件区上，且电阻结构的高度与金属栅极的高...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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