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本申请提供一种发光二极管元件及其制造方法及发光装置，本申请的发光二极管元件中，第一半导体层结构远离衬底的一侧形成粗化结构，该粗化结构形成为迷宫状放射线或者缝隙，使得晶界处的Al元素含量明显减少，由此减少晶界处的缺陷能级，削弱对光子的吸收和散...
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