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本技术一些实施例涉及一种磁性存储器装置。所述磁性存储器装置包含经配置以感测外部磁场强度的磁性感测阵列。所述磁性存储器装置进一步包含经配置以响应于所述外部磁场强度大于阈值磁场强度而提供不同于所述磁性存储器装置的当前写入电压的测试电压的电压调制...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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