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珠海镓未来科技有限公司
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底层芯片及对应的半导体功率器件叠芯结构制造技术
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文档序号:41498413
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本发明提供一种功率半导体芯片叠芯结构,用于功率半导体芯片的紧凑封装产品。叠芯结构中,底层芯片上表面的源极金属需要电气连接到顶层芯片下表面的漏极金属;底层芯片的上表面设置有源极连接金属区和漏极连接金属区;底层芯片的源极连接金属区与底层芯片内部...
该专利属于珠海镓未来科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海镓未来科技有限公司授权不得商用。
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