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本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，该方法通过MD、MC、TCAD方法结合，对器件辐照退化行为进行模拟。通过MD模拟材料位移阈能与应变的关系，用MC方法计算实际缺陷分布，最后结合TCAD对应变下器件的辐照退化进行...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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