GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，该方法通过MD、MC、TCAD方法结合，对器件辐照退化行为进行模拟。通过MD模拟材料位移阈能与应变的关系，用MC方法计算实际缺陷分布，最后结合TCAD对应变下器件的辐照退化进行更加准确的模拟，从而实现从微观结构到宏观器件的多尺度耦合模拟，对器件太空应用进行性能预测。本发明专利技术考虑了器件内部存在的残余应变、错配应变，同时实现跨尺度模拟，从而更加准确的对器件太空应用进行预测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计领域，尤其涉及一种gan hemt器件辐照环境应用设计多尺度方法。

技术介绍

1、随着航天技术、空间技术的日新月异，从1957年10月苏联在军备竞赛中发射了世界上第一颗人造卫星，从此拉开了人类的太空时代。卫星主要分为科学卫星、技术试验卫星、应用卫星，其中电子设备是必不可少的组成部分。航天器在轨运行的过程中，处于真空、深冷、低重力环境，环境中存在着大量的空间辐照，原子氧、微流星、空间碎片等空间因素。

2、器件在太空中的出现故障主要是由于空间环境中的高能粒子辐照所导致的。辐照效应主要包含有电离效应和位移效应。这与粒子在材料中能量损失方式有着直接的关系。粒子在材料中能量的主要损失方式有以下两种：通过与靶材原子的核外电子进行相互作用，从而引发靶材原子电离，从而将能量转移到电子的方式称为电离能损；通过与靶材原子发生弹性碰撞，将能量转化为靶材原子动能的方式称为非电离能损。位移效应是粒子与靶材原子碰撞转移能量至靶材原子，使其离开晶格位置，形成弗伦克尔对(frenkel pair)即空位间隙对，属于非电离能损。位移效应在器件中形成点缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括以下子步骤：

3.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所述步骤(3)具体包括以下子步骤：

4.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所述步骤(4)具体包括以下子步骤：

5.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种gan hemt器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种gan hemt器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括以下子步骤：

3.根据权利要求1所述的一种gan hemt器件辐照环境应用设计多尺度方法，其特征在于，所述步骤(3)具体包括以下子步骤：

4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琪聪，朱林利，楼海君，雷前进，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：