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本申请公开了一种用于闪存器件的套刻偏差测试方法，包括：S1：分别测量闪存器件中偶数行控制栅的总电阻和奇数行控制栅的总电阻；S2：基于所述偶数行控制栅的总电阻、奇数行控制栅的总电阻以及控制栅的设计尺寸，得到所述闪存器件的控制栅浮栅套刻偏差。本...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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