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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种基于衬底剥离工艺的氮化镓器件，在氮化镓器件的底部蓝宝石基低替换为金属种子层及金属电极层，对于水平器件，大大提高了其散热效能，对于垂直器件，直接降低了制作成本。本发明还公开了基于衬底剥离工艺的氮化镓器件的制...
该专利属于苏州英嘉通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州英嘉通半导体有限公司授权不得商用。

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