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一种功率器件，包括：衬底；在衬底上形成的外延层；在外延层上形成多个元胞区沟槽；在元胞区沟槽内形成有源极多晶硅和栅极多晶硅；在多个元胞区沟槽的外侧，还形成有终端沟槽，终端沟槽内形成有源极多晶硅；在元胞区沟槽(1)之间以及在元胞区沟槽与终端沟槽...
该专利属于深圳利芯威科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳利芯威科技有限公司授权不得商用。

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