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本发明公开了一种表面氧化结合羟基化改性的碳化硅陶瓷膏料及其制备方法，属于碳化硅陶瓷材料改性技术领域。本发明公开的制备方法，首先将不同粒径的SiC粉末进行加热氧化处理，随后将氧化后的SiC粉末进行羟基化改性处理，确定了不同氧化工艺下碳化硅的氧...
该专利属于西安增材制造国家研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安增材制造国家研究院有限公司授权不得商用。

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