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本发明公开了一种瞬态电压抑制二级管的制作方法，包括如下步骤：第一步、芯片切割，将晶片采用切割机切成单颗芯片；第二步、导线装填，将导线装填到焊接盘中；第三步、下焊片装填，将焊片装填到焊接盘中；第四步、晶粒装填，将晶粒装填到焊接盘中；第五步、上...
该专利属于强茂电子（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过强茂电子（无锡）有限公司授权不得商用。

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