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本发明提供了一种二极管的制造方法及其二极管，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长外延层；在外延层上生长氧化层并一层光刻胶，形成离子槽；形成N型区；在外延层重新生长氧化层，在氧化层上形成氮化层并涂覆一层光刻胶；通过刻蚀形成沟槽；形...
该专利属于安徽源芯微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽源芯微电子有限责任公司授权不得商用。

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