【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及二极管制造，具体涉及一种二极管的制造方法及其二极管。
技术介绍
1、在电子电路中，二极管是最常用的电子元器件之一，以其单向导通的特性在电路中常用作整流器件，且在电力电子电路中，二极管反向并联在功率开关器件的两端，配合功率开关器件实现对电压信号进行调整。无论在电子电路还是电力电子电路中，二极管的作用都是不容忽视的，二极管的质量好坏都会影响电路的整体运行效果；
2、然而现有的二极管的制造在对待形成p型区表面的光刻胶进行曝光时，会优先对待形成n型区域进行曝光，二次曝光的程度难以控制，若二次曝光量过大，则会使得除待形成p型区表面之外的其余部分的光刻胶也发生变性，进而在显影过程中被去除掉，影响了二极管的质量，因此，本专利技术提供一种二极管的制造方法及其二极管用于解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术主要提供了一种二极管的制造方法及其二极管用以解决上述
技术介绍
中提出的技术问题。
2、本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案为：一种二极管的制造方法，包括以
【技术保护点】
1.一种二极管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：在所述S1中，对所述半导体衬底(10)进行预处理的方法为在充满还原性气体的环境下升温至800-1000℃，并保持1-3分钟。
3.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：在所述S2中，通过沉积的方式在所述半导体衬底(10)上生长一层轻掺杂的外延层(20)。
4.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：通过高温作用在所述外延层(20)上生长氧化层(30)，温度为1000-1200℃。
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【技术特征摘要】
1.一种二极管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：在所述s1中，对所述半导体衬底(10)进行预处理的方法为在充满还原性气体的环境下升温至800-1000℃，并保持1-3分钟。
3.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：在所述s2中，通过沉积的方式在所述半导体衬底(10)上生长一层轻掺杂的外延层(20)。
4.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：通过高温作用在所述外延层(20)上生长氧化层(30)，温度为1000-1200℃。
5.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：在所述s4中，涂覆一层所述光刻胶(40)后，通过曝光显影去除部分所述光刻胶(40)，并通过刻蚀形成所述离子槽(50)。
6.根据权利要求1所述的一种二极管的制造方法，其特征在于：向所述离子槽(50...
【专利技术属性】
技术研发人员：原小明，费悦，
申请(专利权)人：安徽源芯微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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