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本发明提出了一种具有多维复合空穴气注入层的氮化镓半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱、电子阻挡层和p型半导体层，所述电子阻挡层和p型半导体层之间设置有多维复合空穴气注入层，所述多维复合空穴气注入层中具有热导率分布...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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