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本发明公开了一种半导体多层电容器、电子设备以及制造方法，涉及半导体集成制造领域。半导体多层电容器的制造方法包括在电容单元结构中形成贯穿至缓冲层的初始沟槽、第一初始通孔和第二初始通孔；经蚀刻后分别形成若干沟槽、第一通孔和第二通孔；再在三者中分...
该专利属于邵国玉所有，仅供学习研究参考，未经过邵国玉授权不得商用。

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