半导体多层电容器、制造方法以及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种半导体多层电容器、电子设备以及制造方法，涉及半导体集成制造领域。半导体多层电容器的制造方法包括在电容单元结构中形成贯穿至缓冲层的初始沟槽、第一初始通孔和第二初始通孔；经蚀刻后分别形成若干沟槽、第一通孔和第二通孔；再在三者中分别填充绝缘材料形成绝缘条和绝缘环；其中电容单元结构包括第一导电层、第二导电层和绝缘层，最后沉积导电材料，在第一通孔中形成与第一导电层电连接的第一导电柱，在第二通孔中形成与第二导电层电连接的第二导电柱。由于第一导电层和第二导电层的材料不同，对初始沟槽、第一初始通孔和第二初始通进行蚀刻时，可选择性缩进两个导电层中的一者为绝缘条和绝缘环提供容纳空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成制造领域，尤其涉及一种堆叠而成的半导体多层电容器及其制造方法，以及包含半导体多层电容器的电子设备。

技术介绍

1、在半导体领域中，多层电容器是指若干电容单元结构堆叠而形成的电容器。其中，电容单元结构是指按导电层、绝缘层、导电层、绝缘层堆叠形成的结构。

2、按各电容单元结构的导电层面积是否相同，可将现有的多层堆叠结构的电容器分为两类。第一类为各电容单元结构的导电层面积不同，各电容单元结构按导电层的面积减少进行堆叠，使得不同的电容单元结构的外周形成阶梯状，该阶梯状有利于实现同类导电层之间的电连接。但是，同类导电层常设置非对准的导电柱并通过引线进行连接，不利于导电距离的缩短，将产生较大的连接损失。另外。该类多层电容器由于结构本身呈阶梯状，电容器的单位面积利用率不高；并且电容单元结构堆叠的数量有限，大容量的该类多层电容器无法实现小型化。

3、第二类为各电容单元结构的导电层面积相同，在相同数量的电容单元结构情况下，相较于前者该类多层电容器的单位面积利用率显著提升。加工第二类多层电容器时，常按电容单元结构进行加工，沉积完本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体多层电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在蚀刻步骤中，采用第一刻蚀液蚀刻所述第一初始通孔和所述初始沟槽分别得到所述第一通孔和第一中间沟槽，采用第二刻蚀液蚀刻所述第二初始通孔和所述第一中间沟槽分别得到所述第二通孔和所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一初始通孔具有第一横向初始尺寸，所述第二初始通孔具有第二横向初始尺寸，所述初始沟槽具有第三横向初始尺寸；

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体多层电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在蚀刻步骤中，采用第一刻蚀液蚀刻所述第一初始通孔和所述初始沟槽分别得到所述第一通孔和第一中间沟槽，采用第二刻蚀液蚀刻所述第二初始通孔和所述第一中间沟槽分别得到所述第二通孔和所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一初始通孔具有第一横向初始尺寸，所述第二初始通孔具有第二横向初始尺寸，所述初始沟槽具有第三横向初始尺寸；

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵国玉，
申请(专利权)人：邵国玉，
类型：发明
国别省市：