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本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一介质层上形成第一耦合金属结构，第一耦合金属结构连接第二栅金属结构和第二源漏金属；倒片并去除衬底；在第一半导体结构上形成浅槽隔离层；在...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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