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垂直型半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:4145383
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本发明提供一种垂直型半导体器件及其制造方法。该垂直型半导体器件包括:半导体衬底,该半导体衬底具有单元区和外围电路区;字线结构,该字线结构位于半导体衬底的单元区上,字线结构包括堆叠在彼此顶部的多条字线;半导体结构,该半导体结构穿过字线结构;栅...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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