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本发明的目的是提供一种ＬＤＭＯＳ晶体管及其制造方法，可以提高ＬＤＭＯＳ晶体管的漏极－源极之间的阻抗。ＬＤＭＯＳ晶体管包括：Ｐ型本体区，形成在Ｎ阱中；源极区和源极接触区，形成在Ｐ型本体区中；漏极区，形成在与Ｐ型本体区隔开一定距离处；ＬＯＣＯＳ...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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