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一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底,具有第一型掺杂离子的第一阱区和具有第二型掺杂离子的第二阱区,第一阱区和第二阱区相邻排布,第一型掺杂离子和第二型掺杂离子的导电类型不同;多个间隔排布设置的重掺杂区,包括第一重掺杂区、第二重掺杂...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底,具有第一型掺杂离子的第一阱区和具有第二型掺杂离子的第二阱区,第一阱区和第二阱区相邻排布,第一型掺杂离子和第二型掺杂离子的导电类型不同;多个间隔排布设置的重掺杂区,包括第一重掺杂区、第二重掺杂...