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本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括：第一导电线，该第一导电线沿着第一方向延伸；第二导电线，该第二导电线被设置在第一导电线之上而与第一导电线间隔开，并且沿着与第一方向不同的第二方向延伸；以及选择器层，该选择器层...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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