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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,衬底内具有导电开口,导电开口的侧壁包括第一区和第二区;在导电开口的侧壁和底部表面形成第一黏附层;在第一黏附层上形成导电层,衬底暴露出导电层的顶部表面;去除第二区表面的第一黏附层形成填充...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,衬底内具有导电开口,导电开口的侧壁包括第一区和第二区;在导电开口的侧壁和底部表面形成第一黏附层;在第一黏附层上形成导电层,衬底暴露出导电层的顶部表面;去除第二区表面的第一黏附层形成填充...