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本发明公开了一种晶片对准及叠对整合标记，其包含有前层图案，用于曝光机台中作为光掩模对晶片对准标记；及当层图案，其结合该前层图案而构成叠对标记，用来决定半导体晶片上的两层图案间的对准精度。根据本发明，能够消除不同量测机台之间所产生的量测偏差。...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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