温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法，包括：S1：利用掩模布图计算掩模坯料的缺陷的平移范围和影响范围；S2：在缺陷的影响范围内，将对掩模布图的布图图形分别进行等距收缩操作和等距扩张操作所获得的操作结果相加，...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。