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本技术提供一种倍频晶体温控炉结构,包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、TEC温控器的加热块,所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内,所述加热底座固定于TEC温控器的加热块上,所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽,沿...该专利属于武汉华日精密激光股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉华日精密激光股份有限公司授权不得商用。
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本技术提供一种倍频晶体温控炉结构,包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、TEC温控器的加热块,所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内,所述加热底座固定于TEC温控器的加热块上,所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽,沿...