一种倍频晶体温控炉结构制造技术

本技术提供一种倍频晶体温控炉结构，包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、TEC温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于TEC温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于加热底座上，第二安装块远离加热底座的一侧与第一安装块固定连接，第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对倍频晶体，第一安装块远离第二安装块的侧面呈弧面，弧面的中部与通光壳的内壁接触。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及激光，尤其涉及一种倍频晶体温控炉结构。

技术介绍

1、激光通过倍频晶体生成二次谐波完成频率转换，高温倍频方案中晶体温度对倍频效率影响很大，为了实现激光倍频功率的稳定性，需要对倍频晶体进行高精度的控温。实际使用中，倍频晶体通常采用高精度tec温控器来进行控温，精度能够达到0.01℃甚至0.005℃，但是仍然面临温度调节过程中，制冷制热过快产生的波动调节的状态，影响激光倍频功率稳定性的问题，因此有必要设计一种新的倍频晶体温控炉结构，以减慢倍频晶体温度变化的速度。

技术实现思路

1、本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种倍频晶体温控炉结构，本技术至少解决了现有技术中的部分问题。

2、本技术是这样实现的：

3、本技术提供一种倍频晶体温控炉结构，包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、tec温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于tec温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种倍频晶体温控炉结构，其特征在于：包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、TEC温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于TEC温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于所述加热底座上，所述第二安装块远离加热底座的一侧与所述第一安装块固定连接，所述第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，所述倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对所述倍频晶体，所述第一安装块远离所述第二安装块的侧面...

【技术特征摘要】

1.一种倍频晶体温控炉结构，其特征在于：包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、tec温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于tec温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于所述加热底座上，所述第二安装块远离加热底座的一侧与所述第一安装块固定连接，所述第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，所述倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对所述倍频晶体，所述第一安装块远离所述第二安装块的侧面呈弧面，所述弧面的中部与所述通光壳的内壁接触。

2.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：沿激光射入方向，所述倍频晶体组件的两侧与所述收容槽的内壁间具有间隙。

3.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述第一安装块和所述第二安装块间通过第一螺钉...

【专利技术属性】
技术研发人员：向阳，桂良为，江聪，王嵩，张顺，
申请(专利权)人：武汉华日精密激光股份有限公司，
类型：新型
国别省市：