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本申请公开了一种恒流晶体管及其制作方法,属于半导体技术领域，恒流晶体管包括SiC衬底；SiC外延层，形成在所述SiC衬底上，在所述SiC外延层内形成有Pwell区，所述Pwell区在版图视角下包括具有孔洞的第一Pwell区和位于孔洞内的第二...
该专利属于深圳真茂佳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳真茂佳半导体有限公司授权不得商用。

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