恒流晶体管及其制作方法技术

本申请公开了一种恒流晶体管及其制作方法,属于半导体技术领域，恒流晶体管包括SiC衬底；SiC外延层，形成在所述SiC衬底上，在所述SiC外延层内形成有Pwell区，所述Pwell区在版图视角下包括具有孔洞的第一Pwell区和位于孔洞内的第二Pwell区；在所述SiC外延层内还形成有呈六角形环状的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区较浅地位于所述第一Pwell区和所述第二Pwell区之间，所述第一重掺杂区与所述第二Pwell区以及第一Pwell区之间形成JEFT结型场效应区；接触金属层，设置在所述SiC外延层上，以短路连接所述Pwell区以及所述第一重掺杂区；阳极引线金属，设置在所述接触金属层上。本申请一方面是恒流电流可以做的较大，另一方面是正向恒流击穿电压较高，应用时无需串联和并联增加恒流电流和恒流正向击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其是涉及恒流晶体管及其制作方法。

技术介绍

1、恒流二极管(crd，current regulative diode)是一种半导体恒流器件，即用二极管作为恒流源代替普通的由晶体管、稳压管和电阻等多个元件组成的恒流源。恒流二极管(crd)属于两端结型场效应恒流器件，其可以在较宽的电压范围内输出恒定的电流，且并具有很高的动态阻抗；恒流二极管(crd)已广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中；恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内ih不随vhi而变化；其反向工作特性则与普通二极管的正向特性有相似之处。

2、目前现有技术中，硅基恒流二极管的问题是，当工作频率过高时，由于结电容的容抗迅速减小，动态阻抗就降低，导致恒流特性变差；硅基恒流二极管正向击穿电压vb0低，恒流电流小，当应用电压高时，需要串联恒流二极管，当应用电流大时，需要并联恒流二极管。

3、基于此，本申请提供恒流晶体管及其制作方法，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、为了提高恒流二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种恒流晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：所述第一Pwell区（31）和第二Pwell区（32）宽度为0.5um-20um；所述第一Pwell区（31）和第二Pwell区（32）间距为0.5um-10um。

3.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：在版图视角下，多个所述第二Pwell区（32）呈蜂窝状设置。

4.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于，在版图视角下，所述第一Pwell区（31）呈框形设置。

5.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：所述接触金属层（50）与所述第...

【技术特征摘要】

1.一种恒流晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：所述第一pwell区（31）和第二pwell区（32）宽度为0.5um-20um；所述第一pwell区（31）和第二pwell区（32）间距为0.5um-10um。

3.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：在版图视角下，多个所述第二pwell区（32）呈蜂窝状设置。

4.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于，在版图视角下，所述第一pwell区（31）呈框形设置。

5.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于：所述接触金属层（50）与所述第一重掺杂区（40）之间形成欧姆接触区。

6.根据权利要求1所述的恒流晶体管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张曌，任炜强，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：