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本发明公开一种半导体装置的制造方法。该方法包括提供一基底；以自由基（ｒａｄｉｃａｌ）对基底进行处理，而在其上形成一界面层；以及在界面层上形成一高介电常数材料层。上述自由基是择自于以下群族：含水自由基、氮／氢自由基及硫／氢自由基。本发明的优点...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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