温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。