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本发明涉及一种极化掺杂的垂直型超宽禁带功率器件及制备方法，AlGaN功率器件包括n<supgt;‑</supgt;‑AlGaN层，所述n<supgt;‑</supgt;‑AlGaN层中Al组分渐变。高Al组分AlGa...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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