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本发明公开了一种一维边缘电接触封装的拓扑超导体结构，结构包括由拓扑超导体构成的电子传输层，所述拓扑超导体置于六角氮化硼之间，构成范德瓦尔斯异质结，所述范德瓦尔斯异质结的下方设置重掺杂硅，所述范德瓦尔斯异质结的顶部设置蒸镀金属，所述范德瓦尔斯...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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