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本发明提出了一种垂直型全栅晶体管沟道用硅纳米柱的制备方法，具体为：在反应离子刻蚀设备极板上加入一个金属垫片，将晶圆放在垫片上，采用刻蚀气体与钝化气体组合的混合气体进行刻蚀，其中钝化气体需要保证能够产生过钝化刻蚀。该方法通过简单的垫高样品，制...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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