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本公开涉及具有富陷阱区和低电阻率区的集成结构。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有富陷阱区和低电阻率区的衬底和制造方法。该结构包括：高电阻率半导体衬底；有源器件，其位于高电阻率半导体衬底之上；以及低电阻率区，其浮置在高电阻率半导体衬底中，...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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