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一种半导体器件，包括：沿第一方向延伸的第一布线，以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二布线，该第二布线设置为在该第一布线和该第二布线之间插入有一间隔，并且该第二布线包括钽层、在所述钽层上方形成的氮化钽层以及在所述氮化钽层上方形成的金属层。...
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