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一种基于SRAM的无进位乘法存算阵列制造技术
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文档序号:41353448
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本发明提供了一种基于SRAM的无进位乘法存算阵列,包括m×m个基于SRAM构造的存算单元和N×m个异或树;同一行所述存算单元输入的乘数生成的单比特流是相同的,每一行存算单元同时输入乘数生成的N个单比特流,每一列存算单元在一个计算周期内输出N...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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