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本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤Ｓ１０６中，在将生长炉内的温度保持为Ｔ↓［Ｗ］的同时，在时刻ｔ４和ｔ５之间在半极性主面上生长Ｉｎ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ阱层。在步骤Ｓ１０７中，在所述阱层的生长完成之后，立即...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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