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本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：使用气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯获得Gr/金属基底样品，将所述Gr/金属基底样品边缘破坏后，对所述金属基底氧化处理，随后将氧化后的Gr/金属基底样品的Gr一侧压印到目标衬底...
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