一种石墨烯薄膜的转移方法技术

本发明专利技术提供一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：使用气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯获得Gr/金属基底样品，将所述Gr/金属基底样品边缘破坏后，对所述金属基底氧化处理，随后将氧化后的Gr/金属基底样品的Gr一侧压印到目标衬底上获得目标衬底/Gr/金属基底样品，冷却所述目标衬底/Gr/金属基底样品至金属基底基底脱落，获得目标样品。本发明专利技术通过对金属基底的缓慢氧化，使单层石墨烯层与金属基底晶格失配，石墨烯膜层与金属基底范德华相互作用减弱，附着力降低，使用具有物理负载或静电吸附特性基底将弱负载于金属生长基底上的单层石墨烯剥夺过来，从而实现单层石墨烯的快速干法转移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯材料，更具体的涉及一种cvd法制备的石墨烯薄膜的无损转移方法。

技术介绍

1、cvd法制备的石墨烯完美转移是石墨烯器件制备的关键一步，cvd制备方法是实现石墨烯各项电、热、物、化性能最接近石墨烯理论值的一种制备方法，是非常理想的石墨烯器件制备的关键材料。以金属箔作为生长衬底的石墨烯往往的单层或寡层的，物理性质较差，在传统的湿法蚀刻转移过程中（如中国专利cn104192833a所述，在金属基底上形成石墨烯薄膜、有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层，随后使用化学试剂刻蚀或电化学鼓泡法将金属基底与石墨烯薄膜分离，将石墨烯薄膜与目标衬底贴合后去除有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层完成石墨烯膜的转移），非常容易造成转移石墨烯膜层过程因褶皱、形变、撕裂等因素造成破损或引入杂质。因此很难获得完整性较好的石墨烯，这主要归因于石墨烯cvd制备方法的催化生长机制导致的石墨烯与生长衬底具有极强的范德华相互作用，为石墨烯从金属箔生长衬底上完美剥离和转移带来极大的挑战。因此，实现石墨烯从生长金属箔衬底表面完美剥离和转移的关键在削弱石墨烯与生长衬底的结合力，削弱石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：使用气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯获得Gr/金属基底样品，将所述Gr/金属基底样品边缘破坏后，对所述金属基底氧化处理，随后将氧化后的Gr/金属基底样品的Gr一侧压印到目标衬底上获得目标衬底/Gr/金属基底样品，冷却所述目标衬底/Gr/金属基底样品至金属基底基底脱落，获得目标样品。

2.一种如权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述边缘破坏处理方式包括摩擦、刮剥、刻蚀中的一种或几种。

3.一种如权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述边缘破坏的长度为1-10mm。

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【技术特征摘要】

1.一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：使用气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯获得gr/金属基底样品，将所述gr/金属基底样品边缘破坏后，对所述金属基底氧化处理，随后将氧化后的gr/金属基底样品的gr一侧压印到目标衬底上获得目标衬底/gr/金属基底样品，冷却所述目标衬底/gr/金属基底样品至金属基底基底脱落，获得目标样品。

2.一种如权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述边缘破坏处理方式包括摩擦、刮剥、刻蚀中的一种或几种。

3.一种如权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述边缘破坏的长度为1-10mm。

4.一种如权利要求1所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述金属基底氧化处理的方式为加热。

5.一种如权利要求4所述的石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述加热过...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡金明，陈其赞，叶建东，
申请(专利权)人：广东墨睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：