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为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤,省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述,利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜,干法蚀刻层间绝缘膜,以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻,形成互连沟槽。停止膜由...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。
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